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ITO靶材(氧化铟锡靶材)
产品简述:
ITO 靶材 ITO靶材以磁控溅射等方式用于导电玻璃的制备. ITO镀膜具有导电性、对可见光的透明性以及对红外线的反射性三个特性,其广泛用于显示屏、玻璃幕墙、触摸屏、太阳能电池、雷
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产品详细
ITO 靶材
ITO靶材以磁控溅射等方式用于导电玻璃的制备. ITO镀膜具有导电性、对可见光的透明性以及对红外线的反射性三个特性,其广泛用于显示屏、玻璃幕墙、触摸屏、太阳能电池、雷达屏蔽、冰柜、防雾玻璃等产品,尤以显示屏为大宗。
ITO 旋转靶材和ITO 平面靶材我们均可提供。
我们的ITO旋转靶材已通过G8.5的认证,以无压烧结法制作的ITO靶材具有高密度、高焊合率以及大尺寸的特性。
纯度: ≥99.995%
杂质元素含量: Si ≤5; Fe ≤3; Ca ≤3; Na ≤3; Cu ≤2; Cd ≤1。
产品优势:
三十道生产工艺;
独立检测体系;
密度偏差<0.10%;
相对密度:≥99.8%;
理论密度高达:7.156。
ITO 靶材技术指标
specifications of ITO target
性能
标准值
化学成分(wt%)
In2O3:SnO2=90:10
单块平面靶材最大规格(mm)
1200×400×(6.0~10)
单块旋转靶材最大规格(mm)
Ф135×Ф153×450
相对密度
≥99.8%
理论密度
7.156g/cm3
体积电阻率
1.35×10-4 Ω·cm
抗弯强度
≥150Mpan
纯度
≥99.995%
失氧率
≤0.5%
ITO 靶材稳定性测试
THK
退火前ITO膜厚465±10Å,退火后400±10Å
THK Unif 8%以内,膜厚相对稳定
Rs
退火前Rs均值在200±20Ω/sq,满足实验线Spec(Spec:AVE>120/sq)
退火后Rs均值在60±10Ω/sq,单点最大值<100Ω/sq,满足实验线Spec(Spec:Ave<70Ω/sq,Max<120Ω/sq)
CD loss
刻蚀后CD loss在-0.3µm~0.3µm之间波动,刻蚀稳定性良好
退火后Tr
退火后在各波段Tr:450nm>87.5%,550nm>93%,610nm>94.8%(Spec:450nm>85%,550nm>87%,660nm>87%)
Particle增量
成膜Particle增量随着Mask寿命的增加,有上升趋势,更换Mask后有明显改善。各次测量值均<150EA
靶材表面状况
靶材表面无开裂、结瘤现象,靶材表面整体稳定性良好
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