磷化铟（InP）单晶基片材料作为最重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管（LD），发光二极管（LED）和光探测器等的关键材料，这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP也非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等方面由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用. InP单晶材料的主要生长方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的LEC技术、气压控制直拉技术（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）等。
晶体：InP
结构：立方,a=5.869 A
晶向：<100>
熔点：1600^oC
密度：4.79 g/cm³
禁带宽度：1.344

磷化铟（InP）单晶基片主要性能参数

单晶	掺杂	导电 类型		载流子浓度 cm-3	迁移率(cm2/V.s)	位错密度(cm-2)	标准基片
InP	本征	N		(0.4-2)*1016	(3.5-4)*103	5*104	Φ2×0.35mm Φ3×0.35mm
InP	S	N		(0.8-3)*1018 (4-6)*1018	(2.0-2.4*103 (1.3-1.6*103	3*104 2*103	Φ2×0.35mm Φ3×0.35mm
InP	Zn	P		(0.6-2)*1018	70-90	2*104	Φ2×0.35mm Φ3×0.35mm
InP	Fe	N		107-108	³2000	3*104	Φ2×0.35mm Φ3×0.35mm
尺寸（mm）			Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度			Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
抛光			单面或双面
包装			100级洁净袋，1000级超净室