| 晶体 |
GaSb
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| 结构 |
立方
a=6.094A
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| 晶向 |
<100>
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| 熔点 | 712oC |
| 密度 |
5.53g/cm3
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| 禁带宽度 |
0.67
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单晶
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掺杂
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导电类型
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载流子浓度
cm-3
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迁移率(cm2/V.s)
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位错密度(cm-2)
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标准基片
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GaSb
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本征
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P
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(1-2)*1017
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600-700
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《1*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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GaSb
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Zn
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P
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(5-100)*1017
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200-500
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《1*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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GaSb
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Te
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N
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(1-20)´1017
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2000－3500
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《1*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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尺寸（mm）
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Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
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表面粗糙度
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Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告 |
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抛光
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单面或双面
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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