| 材料 | 砷化镓（GaAs） |
| 结构 | 立方 |
| 晶向 | <100> |
| 熔点oC | 1238 |
| 密度g/cm3 |
5.31
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| 禁带宽度 |
1.424
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| 单晶 | 掺杂 |
导电类型 |
载流子浓度cm-3 | 位错密度cm-2 | 生长方法 | 标准基片（mm） | |
| GaAs |
Si
undoped |
N |
>5×1017 | <5×105 |
VGF
VB |
Dia2″×0.35mm
Dia3"x0.35mm Dia100×0.65mm |
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晶向 |
(100) 0°±0.5°,<111> (100) 2°±0.5°off toward <111>A (100)15°±0.5°off toward <111>A |
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尺寸（mm） |
25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底 |
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表面粗糙度 |
Surface roughness(Ra):<=5A |
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抛光 |
单面或双面 |
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包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 |
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