磁性与铁电薄膜基片

掺铌钛酸锶(Nb:SrTiO3)晶体基片

产品简述:

掺铌钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但掺铌钛酸锶Nb:SrTiO3具有导电性。

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  掺铌钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但掺铌钛酸锶Nb:SrTiO3具有导电性。
  掺铌钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但NSTO具有导电性。目前我们可以提供掺铌浓度为:0.05%,0.1%,0.5% 和0.7%的Nb:SrTiO3,

掺铌钛酸锶晶体基片主要性能参数

Nb:SrTiO3 级别 A B C D
Nb 浓度(wt%) 1.0 0.7 0.5 0.1
电阻率 ohm-cm 0.0035 0.0070 0.05 0.08
迁移率 cm2/vs 9.0 8.5 8.5 6.5
特点 Nb:SrTiO3与SrTiO3单晶具有相似的结构,但NSTO具有导电性。电阻率范围在0.1~0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。
尺寸 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Ф15,Ф20,Ф1″,
厚度 0.5mm,1.0mm
抛光 单面或双面
晶向 <100>  <110>  <111>
晶面定向精度: ±0.5°
边缘定向精度: 2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片 可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra: ≤5Å(5µm×5µm)
包装 100级洁净袋,1000级超净室
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