晶系 |
六方晶系 |
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晶胞常数 |
a=4.748Å c=12.97Å |
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密度 |
3.98(g/cm3) |
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熔点 |
2040℃ |
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生长方法 |
提拉法,泡生法 |
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莫氏硬度 |
9 |
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折射率 |
300K时, ∥C,1.762 @630nm ⊥C,1.770 @630nm |
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热膨胀系数 |
5.8x10-6/K |
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热导率(卡/度 厘米 秒) |
⊥c |
//c |
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23℃ |
0.055 |
26℃ 0.060 |
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77℃ |
0.040 |
70℃ 0.041 |
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损耗角正切 293K时 |
1×10-4(1MHz) |
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介电常数 *103—109Hz @25℃ |
∥C,11.5 ⊥C,9.3 |
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透过率 |
Ø 80%@ 400~4000nm |
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晶向 |
A-plane |
<11-20> |
2.379A |
R-plane |
<1-102> |
1.740A |
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M-plane |
<10-10> |
1.375A |
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C-plane |
<0001> |
2.165A |
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晶向公差 |
±0.5° |
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常规尺寸及公差 |
10×3,10×5,10×10,15×15,20×15,20×20, |
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常规厚度及公差 |
0.5mm,1.0mm |
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抛光 |
单面或双面 |
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表面粗糙度 |
Ra<5Å(5×5μm) |
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包装 |
100级洁净袋,1000级超净室 |