生长方法
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弧熔法
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晶体结构
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立方
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晶格常数
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a=4.130 Å
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熔点(℃)
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2800
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纯度
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99.95%
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密度(g/cm3)
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3.58
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硬度
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5.5(mohs)
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热膨胀系数(/℃)
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11.2x10-6
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晶体解理面
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<100>
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光学透过
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>90%(200~400nm),>98%(500~1000nm)
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介电常数
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ε= 9.65
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热导率(卡/度 厘米 秒)
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0.14 300°K
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尺寸
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10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
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厚度
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0.5mm,1.0mm
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抛光
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单面或双面
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晶向
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<001>±0.5º
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晶面定向精度:
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±0.5°
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边缘定向精度:
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2°(特殊要求可达1°以内)
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斜切晶片
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可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
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Ra:
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≤5Å(5µm×5µm)
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主要特点
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由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片(直径2英吋及更大),所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。
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主要用途
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用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。
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包装
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100级洁净袋,1000级超净室
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