高温超导薄膜基片

氧化镁(MgO)单晶基片

产品简述:

氧化镁(MgO)单晶基片广泛应用在多个薄膜技术领域中。如用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等。由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片(直径2"及更大),所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。具有很大的现实及潜在应用市场。

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产品详细
  氧化镁(MgO)单晶基片广泛应用在多个薄膜技术领域中。如用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等。由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片(直径2"及更大),所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。具有很大的现实及潜在应用市场。

氧化镁(MgO)单晶基片主要性能参数

生长方法
弧熔法
晶体结构
立方
晶格常数
a=4.130 Å 
熔点(℃)
2800
纯度
99.95%
密度(g/cm3)
3.58
硬度
5.5(mohs)
热膨胀系数(/℃)
11.2x10-6
晶体解理面
<100>
光学透过
>90%(200~400nm),>98%(500~1000nm)
介电常数
ε= 9.65
热导率(卡/度 厘米 秒)
0.14  300°K
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度
0.5mm,1.0mm
抛光
单面或双面
晶向
<001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
主要特点
 由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片(直径2英吋及更大),所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。
主要用途
用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。
包装
100级洁净袋,1000级超净室
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