镓酸钕（NdGaO3）晶体基片是近十年中发展起来的新型基片，主要用作高温超导体（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且无结构相变，在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。

镓酸钕（NdGaO3）晶体基片主要性能参数

晶体结构	正交
晶胞参数Å	a=5.43、b=5.50、c=7.71
熔点	1600℃
密度	7.57g/cm3
介电常数	25
生长方法	提拉法
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″
厚度	0.5mm，1.0mm
抛光	单面或双面
晶向	＜100＞  ＜110＞  ＜111＞
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包装	100级洁净袋，1000级超净室