掺钇氧化锆(YSZ)单晶基片，氧化锆单晶是ZrO2中掺入钇（Y）以稳定其结构，是最早应用于高温超导薄膜的材料之一。一般使用的氧化锆需要掺入钇作为稳定剂,常见浓度有13 mol%,YSZ具有机械和化学稳定性好、成本低的特点。由于氧化锆材料具有高硬度，高强度，高韧性，极高的耐磨性及耐化学腐蚀性等等优良的物化性能，氧化锆已经在陶瓷、耐火材料、机械、电子、光学、航空航天、生物、化学等等各种领域获得广泛的应用。

掺钇氧化锆(YSZ)单晶基片主要性能参数

晶体结构	立方
晶格常数	a=5.147 Å
熔点（℃）	2700
密度（g/cm3）	6.0
硬度	8-8.5（mohs）
纯度	99.99%
热膨胀系数（/℃）	10.3×10-6
介电常数	ε=27
生长方法	弧熔法
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度	0.5mm，1.0mm
抛光	单面或双面
晶向	<001>±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包装	100级洁净袋，1000级超净室