钽靶材:钽平面靶材、钽多弧靶材
用途:主要应用于半导体镀膜和光学镀膜
牌号:RO5200, RO5400, RO5252(Ta-2.5W), RO5255(Ta-10W)
纯度:99.9%,99.95% ,99.99%
规格:
方靶材,厚度x宽度x长度=(1mm~25mm)x≤(10mm-800mm)x≤2000mm
圆靶材,直径x厚度=Φ(25mm-800mm) x (3mm~28mm)
公差:直径公差+/- 0.254;
再结晶:最少95%;
晶粒度:最小40μm;
表面粗糙度:Ra 0.8 最大;
平整度:0.1mm or 0.10% 最大;
成份:
牌号 |
主要成份 |
杂质含量 不大于% |
|||||||||||
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Ta |
Nb |
Fe |
Si |
Ni |
W |
Mo |
Ti |
Nb |
O |
C |
H |
N |
|
Ta1 |
剩余 |
—— |
0.005 |
0.005 |
0.002 |
0.01 |
0.01 |
0.002 |
0.04 |
0.02 |
0.01 |
0.0015 |
0.01 |
Ta2 |
剩余 |
—— |
0.03 |
0.02 |
0.005 |
0.04 |
0.03 |
0.005 |
0.1 |
0.03 |
0.01 |
0.0015 |
0.01 |
TaNb3 |
剩余 |
<3.5 |
0.03 |
0.03 |
0.005 |
0.04 |
0.03 |
0.005 |
—— |
0.03 |
0.01 |
0.0015 |
0.01 |
TaNb20 |
剩余 |
17.0~23.0 |
0.03 |
0.03 |
0.005 |
0.04 |
0.03 |
0.005 |
—— |
0.03 |
0.01 |
0.0015 |
0.01 |
Ta2.5W |
剩余 |
|
0.005 |
0.005 |
0.002 |
3.0 |
0.01 |
0.002 |
0.04 |
0.02 |
0.01 |
0.0015 |
0.01 |
Ta10W |
剩余 |
|
0.005 |
0.005 |
0.002 |
11 |
0.01 |
0.002 |
0.04 |
0.02 |
0.01 |
0.0015 |
0.01 |
我司可提供质量优良的钽靶材。纯度为3N到5N,晶粒度致密性好,使用性能稳定。
应用:钽靶主要应用于光导纤维、半导体、集成电路和磁记录等溅射沉积镀膜,钽靶材可用于阴极溅射涂层,高真空吸气活性材料等。
如有特殊要求,请联系我们具体商定。