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生长方法
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籽晶升华法 ,PVT（物理气相传输）
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晶体结构
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六方
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晶格常数
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a=3.08 Å c=15.08 Å
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密度
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3.21 g/cm3
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方向
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生长轴或 偏<0001> 3.5 º
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带隙
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3.26 eV (间接)
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硬度
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9.2（mohs）
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热传导@300K
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5 W/ cm.k
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介电常数
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e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
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尺寸
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10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， Dia2",Di3",Dia4"
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厚度
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0.35mm，
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抛光
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单面或双面
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晶向
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<0001>±0.5º
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晶面定向精度:
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±0.5°
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边缘定向精度:
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2°（特殊要求可达1°以内）
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斜切晶片
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可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
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Ra:
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≤5Å（5µm×5µm）
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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