氧化锌(ZnO)单晶基片是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
　　氧化锌(ZnO)单晶基片是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,是一种具有发光、电光、闪烁、半导体等性能的多功能晶体，是优良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的关键基片 材料，在短波长发光器件方面如 LEDs、LDs具有很大的发展潜力，成为继GaN后在宽禁带半导体领域又一研究热点。

氧化锌(ZnO)单晶基片主要性能参数

晶体结构	六方
晶格常数	a=3.252Å    c=5.313 Å
密度	5.7（g/cm3）
硬度	4（mohs）
熔点	1975℃
热膨胀系数	6.5 x 10-6 /℃//a     3.7 x 10-6 /℃//c
热 容	0.125 cal /g.m
热电常数	1200 mv/k @ 300 ℃
热 导	0.006 cal/cm/k
透过范围	0.4-0.6 um > 50% at 2mm
晶向	<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º
尺寸（mm）	25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度	Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
抛光	单面或双面
包装	100级洁净袋，1000级超净室