|
晶体结构
|
四方
|
|
晶格常数
|
a=5.17 A c=6.26 A
|
|
熔点（℃）
|
1900
|
|
密度
|
2.62（g/cm3）
|
|
硬度
|
7.5（mohs）
|
|
与GaN失配率<001>
|
1.4%
|
|
尺寸
|
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″
|
|
厚度
|
0.5mm，1.0mm
|
|
抛光
|
单面或双面
|
|
晶向
|
＜100＞ ＜001>
|
|
晶面定向精度:
|
±0.5°
|
|
边缘定向精度:
|
2°（特殊要求可达1°以内）
|
|
斜切晶片
|
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
|
|
Ra:
|
≤5Å（5µm×5µm）
|
|
包装
|
100级洁净袋，1000级超净室
|
点击QQ咨询