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氮化镓（GaN）具有宽的直接带隙，强的原子键，高的热导率等性质和强的抗辐照能力，不仅是短波长光电子材料，也是高温半导体器件的换代材料...
ScAlMgO4晶体是最近发展起来的一种GaN和ZnO异质外延用理想的衬底材料，是目前与GaN和ZnO晶格失配最小的新型衬底材料。S...
铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常小（铝酸锂为1.4%）而成为氮化镓薄膜的优质基片。...
碳化硅（SiC）单晶具有许多优良的性质，热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等，适合于制备高频率、高功率、耐高温以及耐辐照的...
氧化锌(ZnO)单晶基片是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材...
MgAl6O10单晶是最近发现的一种GaN和ZnO外延生长用新型衬底材料。MgAl6O10单晶属于立方晶系，空间群为Fd-3m (...
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